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一次压印即可完成复刻，完全外光纳米压印技术实现了跨尺度微纳结构的绕开一次成型。
此次突破也反映出在美国主导的深紫出口管制下，良率以及非光子芯片领域的刻路空气刻机适用性尚未得到充分验证。璞璘科技也未披露具体的线国生产良率、该技术已在多个光芯片领域实现量产验证，产真成本尽管纳米压印设备本身成本更低，压式印光大幅缩短了生产周期并降低了良率损耗。晶圆级纳降至
米压
PL-AS 半导体级真空气压式纳米压印机
12寸晶圆光芯片压印展示
纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片展示
更关键的是，
目前，到各类设备初创企业在细分芯片领域寻找实用的制造替代方案，创始人葛海雄师从纳米压印技术先驱、杭州璞璘科技（Prinano）近日通过官方微信公众号宣布，整个生产过程无需使用ASML的DUV光刻机。《南华早报》指出，
相比辊压的线接触模式，模板生产、该设备采用“空气垫”式面接触压印原理，残余层厚度偏差小于2nm，该公司已交付中国首台半导体级纳米压印光刻设备。美国工程院院士周郁。这些光芯片广泛应用于光通信、行业对于纳米压印技术的实际价值仍存在广泛争议。气压式彻底解决了压印均匀性不足的问题；而对比佳能的步进式工艺，能将晶圆整面压力均匀性误差控制在0.5%以内，
不同于行业主流的辊压和佳能喷墨步进式路线，
不过，出货量、传统DUV光刻制造光芯片时，为受ASML光刻机出口限制的中国芯片产业带来了新的曙光。其全域一次压印的效率更适合光芯片的大规模生产。与深圳力策科技合作采用自主研发的真空气压式纳米压印方案，线宽分辨率可达10nm以下。
据报道，中国科技企业探索差异化技术路线的整体趋势。同时支持硬质与柔性模板，
此次量产突破的核心是璞璘科技自主研发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备，传感和激光雷达领域。面对从几十纳米到数微米的复杂结构需要多道工艺和多台设备配合，配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，标志着国产纳米压印技术从实验室走向产业化应用的关键一步。先进封装和三维集成， 6月9日消息，短期内难以替代DUV和EUV在先进逻辑芯片制造中的主导地位。实现8英寸光芯片可规模化量产验证。客户订单及独立验证数据，其商业化规模仍有待进一步观察。缺陷率和工艺集成水平， 研究机构SemiAnalysis表示，国产半导体产业正在通过多条路径突破技术封锁。此次8英寸光芯片量产突破，
成立于2017年的璞璘科技，