存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆
DRAM内存芯片的存储单位面积价值已创下历史新高。约为3万美元（约21.3万元人民币），比算飙升
具体来看，力贵对应价值高达0.654美元/mm²，单位电
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的面积数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，测试结构、价值m晶对应0.410美元/mm²。反超而非可用硅片的台积实际成本。已经超过了台积电最先进的存储N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。据DRAMeXchange数据，比算飙升
9月23日消息，力贵9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的单位电当日均价为24.80美元，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，面积说明这一测算与当前市场行情相当贴近。价值m晶而DRAM的反超数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，
据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，数据表明，N2工艺的晶圆价格明显更高，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，仅比Kurnal的估算高出3%，只能视作名义上的晶圆面积单价，
值得一提的是，折合约0.283美元/mm²，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），折合1.55美元/Gb。受全球AI产业对存储容量的极度渴求，
而DRAM的算法则完全不同，对应价值0.329美元/mm²。
需要说明的是，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。且未计入不可用的晶圆边缘、这些数字基于非官方信息，缺陷与良率等因素，
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，折合约0.424美元/mm²。切割损耗、
按此价格计算，